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太赫兹图像传感器像素器件研究取得重要进展
作者:   时间:2017年06月28日 【字号: 】【打印本页】【关闭】
太赫兹波成像技术作为一种新型无损成像技术正在兴起,在生物医学、医疗诊断、安全检测、危险物品检查、隐形武器探测、材料表征和探伤等科学研究以及日用领域具有非常广阔的应用前景,已成为各国争相研究的热点技术。在2015年度市基金项目“面向CMOS太赫兹图像传感芯片的低噪声列并行信号读出电路研究”(项目编号:4152051)等资助下,中国科学院半导体研究所刘力源副研究员课题组成功研制出一种基于标准互补金属氧化物半导体工艺的太赫兹像素器件。该器件采用了自主设计的天线、太赫兹波段匹配网络和高电压响应度晶体管结构,在常温工作条件下,像素器件对860吉赫兹太赫兹波辐照的电压响应率为3.3千伏/瓦,在单位带宽下噪声等效功率为106皮瓦,与国际同类器件结构研究提出指标持平。课题组也验证了像素器件信号处理电路,它集成了低噪声放大器和高精度转换器,为实现单片集成高分辨率太赫兹图像传感器奠定了基础,有望进一步实现大面阵太赫兹图像传感器,提升我国在太赫兹成像领域的国际竞争力。

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